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大工20春《模拟电子技术》在线作业2

时间:2020-05-29 18:01来源:未知 作者:admin 点击:
(单选题)1: 结型场效应管利用栅-源极间所加的()来改变导电沟道的电阻。 A: 反偏电压 B: 反向电流 C: 正偏电压 D: 正向电流 正确答案: A (单选题)2: 共模抑制比KCMR越大,表明电路()。 A: 放大倍数越稳定 B: 交流放大倍数越大 C: 抑制零漂的能力越强 D: 抑制零
(单选题)1: 结型场效应管利用栅-源极间所加的()来改变导电沟道的电阻。
A: 反偏电压
B: 反向电流
C: 正偏电压
D: 正向电流


(单选题)2: 共模抑制比KCMR越大,表明电路()。
A: 放大倍数越稳定
B: 交流放大倍数越大
C: 抑制零漂的能力越强
D: 抑制零漂的能力越差


(单选题)3: 多级直接耦合放大器中,零点漂移最大的一级是()。
A: 输入级
B: 中间级
C: 输出级
D: 增益最高的一级


(单选题)4: 甲类功率放大电路(参数确定)的输出功率越大,则功放管的管耗()。
A: 不变
B: 越大
C: 越小
D: 不确定


(单选题)5: 乙类互补对称功率放大电路的特点说法错误的是()。
A: 效率低
B: 效率高
C: 管耗小
D: 存在交越失真


(单选题)6: 设计一个输出功率为20W的扩音机电路,若用乙类OCL互补对称功放电路,则应选最大允许功耗至少为()W的功率管两个。
A: 2
B: 4
C: 10
D: 20


(单选题)7: 差分放大电路中,当vi1=300mV,vi2=200mV时,则分解后()。
A: vic=500mV,vid=100mV
B: vic=250mV,vid=100mV
C: vic=250mV,vid=50mV
D: vic=500mV,vid=50mV


(单选题)8: 耗尽型MOSFET,栅源极之间的PN结()。
A: 必须正偏
B: 必须零偏
C: 必须反偏
D: 可以正偏、零偏或反偏


(单选题)9: 乙类互补推挽功率放大电路在输出电压幅值约等于()时,管子的功耗最大。
A: 0
B: 电源电压
C: 0.64倍的电源电压
D: 2倍的电源电压


(单选题)10: 共源放大电路的输入输出电压()。
A: 同相
B: 反相
C: 相差90°
D: 不确定


(判断题)11: 差分放大电路由双端输出变为单端输出,则共模电压增益将减小。
A: 对
B: 错


(判断题)12: 甲类放大电路的效率最高可以达到78.5%。
A: 对
B: 错


(判断题)13: 典型的差分放大电路是利用电路的对称性和发射极公共电阻的负反馈作用来克服温漂。
A: 对
B: 错


(判断题)14: 电流源电路的特点是端口电流恒定,交流等效电阻大,直流等效电阻大。
A: 对
B: 错


(判断题)15: 场效应管自给偏压电路适合于增强型场效应管组成的放大电路。
A: 对
B: 错


(判断题)16: 与双极型晶体管比较,场效应管放大能力弱。
A: 对
B: 错


(判断题)17: 场效应管是一种电流控制器件。
A: 对
B: 错


(判断题)18: 在甲乙类放大电路中,放大管导通角为大于180°而小于360°。
A: 对
B: 错


(判断题)19: P沟道耗尽型MOS管的外加电压uGS的极性可正可负。
A: 对
B: 错


(判断题)20: 带Re电阻的长尾型差分放大电路,对于差模信号有很强的抑制能力。
A: 对
B: 错

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