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(单选题)1: 在掺杂半导体中,少子的浓度受()的影响很大。 A: 温度 B: 掺杂工艺 C: 杂质浓度 D: 晶体缺陷 (单选题)2: 由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中,当输入正弦电压时,输出电压波形出现了顶部削平的失真。则这种失真为()。 A: 饱和失真 B: 截止失真 C: 交越失真 D: 频率失真 (单选题)3: 以下不是共集电极放大电路的是()。 A: 射极输出器 B: 电压跟随器 C: 电流放大器 D: 电压放大器 (单选题)4: 共基极放大电路有()。 A: 只有放大电压的作用 B: 只有放大电流的作用 C: 同时有放大电压电流的作用 D: 没有放大作用 (单选题)5: 在共射、共集和共基三种基本放大电路中,输出电阻最小的是()放大电路。 A: 共射极 B: 共集电极 C: 共基极 D: 不确定 (单选题)6: 在同时比较三种基本放大电路的特点时,下列描述正确是()。 A: 共射电路的Ri最大 B: 共集电路的Av最小 C: 共基电路的Av最小 D: 共射电路的Ro最小 (单选题)7: PN结外加正向电压时，扩散电流()漂移电流。 A: 大于 B: 小于 C: 等于 D: 无法确定 (单选题)8: 某BJT三极管处于放大状态,测出IB=18μA时,IE=1.2mA,该三极管的电流放大系数β约为()。 A: 33 B: 66 C: 99 D: 132 (单选题)9: 测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V,则该管为()。 A: NPN型锗管 B: PNP型锗管 C: PNP型硅管 D: NPN型硅管 (单选题)10: 适合做高频放大或宽频带放大电路及恒流源的放大组态是()。 A: 共发射极放大电路 B: 共集电极放大电路 C: 共基极放大电路 D: 共模放大电路 (判断题)11: 为了把一个内阻极小的电压源转变为内阻尽可能大的电流源,可以在电压源的后面接入共射-共基串接电路。 A: 对 B: 错 (判断题)12: BJT有三个极、三个区、三个PN结。 A: 对 B: 错 (判断题)13: 零点漂移就是静态工作点的漂移。 A: 对 B: 错 (判断题)14: BJT的β值越大,放大能力越强,但在选用BJT时,并不是β值越大越好。 A: 对 B: 错 (判断题)15: 若要加强少子漂移运动,应使PN结正偏。 A: 对 B: 错 (判断题)16: 由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路都毫无变化可言。 A: 对 B: 错 (判断题)17: 随着温度的上升,BJT的Vbe将增大。 A: 对 B: 错 (判断题)18: 处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。 A: 对 B: 错 (判断题)19: 产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。 A: 对 B: 错 (判断题)20: 直流负载线实质上就是放大电路在静态下从晶体管集电极和发射极看进去外电路(有源线性二端网络)的伏安特性曲线。 A: 对 B: 错 (责任编辑：admin) |