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(单选题)1: 已知某晶体管处于放大状态,测得其三个极的电位分别为1.3V、2V和6V,则6V所对应的电极为()。 A: 发射极 B: 集电极 C: 基极 D: 无法确定 (单选题)2: 关于BJT的结构特点说法错误的是()。 A: 基区很薄且掺杂浓度很低 B: 发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度 C: 基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度 D: 集电区面积大于发射区面积 (单选题)3: 测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V,则该管为()。 A: NPN型锗管 B: PNP型锗管 C: PNP型硅管 D: NPN型硅管 (单选题)4: 在共射、共集和共基三种基本放大电路中,输出电阻最小的是()放大电路。 A: 共射极 B: 共集电极 C: 共基极 D: 不确定 (单选题)5: 引起共射极放大电路输出波形出现饱和失真的主要原因是()。 A: 输入电阻太小 B: 静态工作点偏低 C: 静态工作点偏高 D: 输出电阻太小 (单选题)6: 在掺杂半导体中,少子的浓度受()的影响很大。 A: 温度 B: 掺杂工艺 C: 杂质浓度 D: 晶体缺陷 (单选题)7: 在共集电极放大电路中,若输入电压为正弦波形,则输入输出电压相位()。 A: 同相 B: 反相 C: 相差90° D: 不确定 (单选题)8: 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生()。 A: 饱和失真 B: 截止失真 C: 交越失真 D: 线性失真 (单选题)9: 晶体管能够放大的外部条件是()。 A: 发射结正偏，集电结反偏 B: 发射结正偏，集电结正偏 C: 发射结反偏，集电结正偏 D: 发射结反偏，集电结反偏 (单选题)10: 对PNP型晶体管来说,当其工作于放大状态时,()极的电位最低。 A: 发射极 B: 基极 C: 集电极 D: 不确定 (判断题)11: 射极输出器无放大功率的能力。 A: 对 B: 错 (判断题)12: 温度升高,晶体管输入特性曲线右移。 A: 对 B: 错 (判断题)13: 二极管是非线性器件。 A: 对 B: 错 (判断题)14: 对于电压放大器来说,输出电阻越小,电路的带负载能力越强。 A: 对 B: 错 (判断题)15: 共射放大电路中信号从射极输入,由集电极输出。 A: 对 B: 错 (判断题)16: BJT有三个极、三个区、三个PN结。 A: 对 B: 错 (判断题)17: 阻容耦合多级放大电路不能抑制零点漂移。 A: 对 B: 错 (判断题)18: 半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间。 A: 对 B: 错 (判断题)19: 当环境温度升高时,二极管的死区电压将升高。 A: 对 B: 错 (判断题)20: N型半导体带正电。 A: 对 B: 错 (责任编辑：admin) |